芳纶针织物增强复合材料的制备及其弯曲性能

详细描述了采用平板硫化机制备芳纶针织物增强复合材料的过程及工艺,对制得的芳纶针织物增强复合材料进行等离子体处理。低温等离子体处理条件为:压强60 Pa,功率150 W,时间120 s,并探究了等离子体处理对芳纶针织物增强复合材料的弯曲性能的影响。     

芳纶橡胶输送带的接头强度研究

针对芳纶橡胶输送带接头强度保持率低的问题,本研究以国内外芳纶橡胶输送带接头方案为基础,采用指型插接方案,系统性地探究了指型长径比、贴胶厚度、织物增强层结构等因素对接头强度的影响。实验证明接头强度随长径比的增大而升高;贴胶厚度在1mm时接头强度达到最大,此后接头强度随贴胶厚度的增加而降低;织物增强层沿经向放置的接头强度提高87%,接头强度保持率达到带体强度的60%。     

涤纶混纺针织物面料的抗起毛起球整理

将制备的抗起毛起球整理剂WPUA应用在涤毛混纺针织物和涤棉混纺针织物上,结果表明:当WPUA质量浓度为80 g/L、焙烘温度120℃、焙烘时间3 min时,涤毛针织物抗起毛起球等级提高了4级,涤棉针织物抗起毛起球等级提高了3级;织物手感和白度与原织物等级相当;静电压半衰期明显降低,抗静电性能得到提高;与目前市售的高效抗起毛起球整理剂的各项性能相当。扫描电镜表明:经整理后的织物,纤维尾端被黏附在纱线的表面,织物表现出抗起毛起球的特征。     

风电叶片用单向复合材料厚度变化研究与分析

风电叶片主梁帽通常采用单向经编织物,通过真空导入成型复合材料。由于真空导入工艺的特点以及织物参数的影响,都会对叶片设计带来一定的困难。选用国内外四种常用单行玻纤织物,研究了复合材料成型工艺和织物参数对复合材料厚度的影响。研究发现单向复合材料厚度与层数存在线性关系,而工艺参数对厚度影响不明显,织物参数对复合材料厚度有明显的影响。研究将为风电叶片设计提供一定支持,并为玻纤企业生产工艺参数调整提供了一定的借鉴意义。     

基于GSM模块的光线检测系统设计

开关量信号采样是工业过程领域中一种常见的数据采集技术。本系统由单片机控制系统、显示模块、发送模块和光线检测模块等组成,采用AT89S51单片机作为系统的控制器,实现对开关量信号的采集和处理,并通过TC35 GSM模块发送处理后的信息。系统工作正常,运行稳定。     

一种星载IP交换机队列管理器的设计

针对星载IP交换机中硬件存储资源使用受限的情况,提出了一种适用于共享存储交换结构、存储资源占用少的队列管理器。通过添加索引的方法,使得所有的单播队列能够共享一个指针存储区。根据位图映射,将组播指针转化为多个单播指针,即可把组播操作的数据流按照单播操作方式写到相应的逻辑队列路径,达到节约存储器资源的目的。该队列管理器通过链表数据结构的头部和尾部来控制指针索引的写入和输出。最后,在Xilinx的xc6vlx130t FPGA进行了综合实现,结果显示,该方案相比基于指针复制的队列管理器,在8端口的交换机中存储器资源的使用量要节约22%以上。     

基于开关管阻抗特性的调制组件检测方法

介绍了全固态调制器采用IGBT 管等固态器件进行串并联组合应用的典型工作模式,分析了固态调制器传统开关组件的检测和保护技术,提出基于开关管阻抗特性的调制组件检测方法,阐述了设计思想及工作原理,给出了工程实现方案和检测方法原理框图,并分析比较了传统的在线检测方法和基于开关管阻抗特性的调制组件检测方法,基于PLC 编程软件平台,根据采样电压的数值及其变化量,实现精确判定IGBT 管损坏数量和百分比的计算。工程应用验证了检测结果的准确可靠。     

有机聚合物1×32波导热光开关阵列

研制出紧凑型树状分支结构马赫-曾德尔干涉(MZ I)型有机聚合物1×2热光开关以及1×32集成波导热 光开关阵列。利用旋转涂覆法、紫外固化工艺、接触曝光、反应离子刻蚀(RIE)、真空镀膜 、切割和抛光等传统 微加工工艺,成功完成了器件制备。通过优化刻蚀工艺,有效减小了刻蚀后波导的表面与侧 壁粗糙度。通过在 波导和金属掩膜层之间添加聚合物隔离层,进一步减小了波导的传输损耗。实验结果显示, 制备的1×2热 光开关插损仅为2.84dB,串扰为－31.13dB ,光开关的电功耗为4.1mW;制备的1×32波 导热光开关阵列插 损为11.8dB, 串扰为－25.3dB,电功耗小于5mW, 器件开关时间 为1.15ms。测试结果与数值模拟结果 吻合很好,研制的光开关有望应用于光交换器(OXC)、 光分插复用器(OADM)以及光 控相控阵天线的波束扫描控制系统中。     

一种双稳态电磁型射频MEMS开关的设计与测试

设计了一种低电压驱动的双稳态电磁型射频MEMS开关.与驱动电压高这几十伏的静电型射频MEMS开关相比,其驱动电压可低至几伏,因此应用时无需增加电荷泵等升压电路.开关可在磁场驱动下实现双稳态切换,稳态时无直流功率消耗.分析了工作磁场的分布特点,进行了结构设计仿真;并使用HFSS软件和粒子群算法进行了射频参数仿真、结构参数优化及主要结构参数显著性研究,得出了影响开关射频传输性能的主要结构参数;采用表面牺牲层工艺制作了原理样机并进行了射频性能参数的测试.结果表明,开关样机在DC～3 GHz工作频率区间内,插入损耗小于0.25 dB,隔离度大于40 dB.     

准谐振正激变换器零电压开关设计

准谐振有源箝位正激变换器的有源箝位电路与常规的有源箝位正激变换器的结构类似,但实际工作过程存在许多差异。通过分析准谐振有源箝位正激变换器的工作过程,研究了准谐振有源箝位正激变换器的开关管零电压导通的边界条件,并进行了仿真和实验验证。